(一)特點(diǎn):
** 測(cè)試12種半導(dǎo)體分立器件的交直流參數(shù)共130種以上.
** 採(cǎi)用300us至80us的脈衝動(dòng)態(tài)測(cè)試,以防元件因發(fā)熱而造成數(shù)據(jù)的漂移.
** 精確的程控恆流源可由0.1微安至50安培,電壓最高可達(dá)2.5KV.
** 外接程控恆流源可至400安培~800安培~1600安培.
** 漏電流可量至0.1納安級(jí).
** 採(cǎi)用自動(dòng)校準(zhǔn)的軟件技術(shù),將接插件接觸面,電路板上的線(xiàn)路或繼電器接點(diǎn)上細(xì)微
的壓降一一拋除, 保證MOSFET的Rds(on)準(zhǔn)確度可達(dá)+/-1毫歐姆(+/-0.001 歐姆)
** 全自動(dòng)自我測(cè)試系統(tǒng)可在1秒內(nèi),快速檢查主機(jī)是否正常工作,並可顯示故障點(diǎn)
的元件編號(hào)及位置.
** 常用的測(cè)試數(shù)據(jù)及標(biāo)準(zhǔn)只須輸入一次即可儲(chǔ)存在機(jī)器內(nèi), 輸入序號(hào)即可
啟動(dòng)多種參數(shù)的全自動(dòng)測(cè)試.
** 自我校準(zhǔn)程式可外接電流計(jì)或電壓計(jì),以檢查各恆流源, 電壓源,DAC 或ADC 的精度.
** 可外接自動(dòng)測(cè)試的機(jī)械手.
** 精確的量測(cè)各種三極管的開(kāi)(ton)或關(guān)(toff)的時(shí)間以納秒計(jì)(ns).
** 具有USB接口可外接打印機(jī),數(shù)據(jù)機(jī)或電腦.
** 本機(jī)可快速精確的測(cè)量在某一工作點(diǎn)的數(shù)據(jù),亦可在3秒內(nèi)測(cè)量256點(diǎn)不同
工作條件下的數(shù)據(jù),並以線(xiàn)性或?qū)?shù)方式壓縮後上傳至電腦,或數(shù)值存儲(chǔ)示波器
可顯示被測(cè)件在關(guān)閉或導(dǎo)通狀態(tài)下的特性曲線(xiàn)圖最多可同時(shí)顯示8條曲線(xiàn).
** 快速的保護(hù)電路,防止因高壓,過(guò)流及被測(cè)件急速崩潰可能造成損壞,精心設(shè)計(jì)的軟件. 防止使用者誤判或誤輸入所造成的損害.
** 被測(cè)件可以任一方向插入測(cè)試座,但只有唯一正確方位及排列順序可以啟動(dòng)測(cè)試,
如此可以避免被測(cè)件或儀器的損毀.
** 所有的電源均以高效率的開(kāi)關(guān)電源製作,具有體積小,重量輕,電流與電壓輸出大的優(yōu)點(diǎn).
(二)IST8900 測(cè)試元器件參數(shù)表
元器件 漏電流 崩潰電壓 導(dǎo)通參數(shù) 放大倍率 觸發(fā)參數(shù) 閂扣參數(shù) 保持參數(shù) 開(kāi)關(guān)參數(shù)
Device Leakage Breakdown On-State Gain Trigger Latch Hold Switching
Type Current Voltage Parameter Parameter Parameter Parameter Parameter
1. 晶體管 Iceo,Ices BVceo,BVces Vce(sat) hFE Vbe(on) ton
Bipolar Icev, Icbo BVcev,BVcbo Vbe(sat) toff
Transistor Iebo BVebo
2. 模式管 Idss,Igsr BVdss Vds(on),Ids gFS Vgs(th) ton
MOSFET IdsV, Igsf Rds(on), Vds Vgs(on) toff
Transistor
3. IGBT Ices, Igsr BVces Vce(sat), gFS Vge(th) ton
Igsf Ic(on), Vf Vge(on) toff
4. 二極管 Ir BVr Vf, If
DIODE
5. 穩(wěn)壓二極管 Ir BVz, BVr Vf
Zener Diode
6. 可控珪 Idrm,Irrm BVdrm,BVrrm Vtm Igt,Vgt IL Ih
SCR Igko BVgko
7. 交流可控珪 BVrrm Vtm+ Igt1/2/3/4 Ih+,Ih-
TRIAC Idrm,Irrm BVdrm Vtm- Vgt1/2/3/4
8. 閘極閘流體 Idrm Vtm Igt,Vgt IL Ih
GTO Irrm, Igrm
9. 結(jié)型管 Igss BVgss Idss, gFS Vgs(off)
J-FET Rds(on),Vds(on)
10. 穩(wěn)壓管 +/-Vo, +/-Ipk +/-dV +/-Or, +/-Ir
Regulator +/-Isc
11. 光電耦合器 Ir,Iceo, BVceo,BVcbo Vf, Ic(on) CTR Ih
Optoisolator Icbo,Iebo, BVebo Vce(sat) hFE
Ic(off),Idrm Vtm
12. 過(guò)壓保護(hù) Ir BVr Vbo, Ibo
VTS dVbo
(三)圖示儀所能顯示的標(biāo)準(zhǔn)圖型:
(1)晶體管(TRANSISTOR):
Iceo 對(duì) BVceo, Ices 對(duì) BVces, Icev 對(duì) BVcev, Icbo 對(duì) BVcbo,
Iebo對(duì)BVebo, Ic 對(duì) Vce(sat), Ic 對(duì) Vbe(sat), Ic 對(duì) hFE,
Ib 對(duì) Vce(sat) (在不同的Ic下).
(2)模式管(MOSFET):
Idss 對(duì) BVdss, Idsv 對(duì)BVdsv, Ids對(duì)Vds(在不同的Vgs下),
Rds 對(duì) Vgs(在固定的Ids下), Rds 對(duì) Ids(在不同的Vgs下),
Ids 對(duì) Vgs(在固定的Vds下), Is 對(duì) Vsd.
(3)IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Ices 對(duì) BVces, Ic 對(duì) Vce(在不同的Vge下), If 對(duì) Vf.
(4)二極管, 穩(wěn)壓二極管 (DIODE & ZENER DIODE)
Ir 對(duì) BVr, Iz 對(duì) BVz.
(四)測(cè)試規(guī)格 (TEST SPECIFICATIONS)
(1)漏電流測(cè)量檔位 (Leakage Current Measurement Range)
測(cè)試參數(shù) 電流檔位 解析度 精度 測(cè)量條件
Parameter Current Range Resolution Accuracy Test Condition
Iceo/s/v, Icbo, (1) 0 ---400 na 0.1 na +/- 2 % 0 ---- 2.5 KV
Iebo, Idss/v, (2) 0 ---4 ua 1 na +/- 1 % 0 ---- 2.5 KV
Igsr/f, Idrm, (3) 0 --- 40 ua 10 na +/-1 % 0 ---- 2.5 KV
Irrm, Igko, (4) 0 --- 400ua 0.1 ua +/- 1 % 0 ---- 2.5 KV
Igss (5) 0 --- 4 ma 1 ua +/- 1 % 0 ---- 2.5 KV
(6) 0 --- 40 ma 10 ua +/- 1 % 0 ---- 2.5 KV
(7) 0 --- 400 ma 0.1ma +/- 1 % 0 ---- 2.5 KV
(2)崩潰電壓檔位 (Breakdown Voltage Range)
測(cè)試參數(shù) 電壓檔位 解析度 精度 測(cè)量條件
Parameter Voltage Range Resolution Accuracy Test Condition
BVceo/s/v, BVcbo, (1) 0 --- 30 V 0.05 V +/- 1 % 0 ---- 400 ma
BVebo, BVdss, (2) 30 --- 60V 0.05 V +/- 1 % 0 ---- 400 ma
BVr, BVdrm, (3) 60 --- 2500 V 0.3 V +/- 2 % 0 ---- 40 ma
BVrrm, BVgss
(3)導(dǎo)通電流檔位 (On-StateCurrentRange)
測(cè)試參數(shù) 電流檔位 解析度 精度 測(cè)量條件
Parameter Current Range Resolution Accuracy Test Condition
hFE, Vce(sat), (1) 0 ---- 20 ma 5 ua +/- 1 % 0 ---- 40 V
Vbe(on), Vbe(sat) (2) 0 ---- 200 ma 50 ua +/- 1 % 0 ---- 40 V
Vds(on), Ids, Vds, (3) 0 ---- 2 A 0.5 ma +/- 1% 0 ---- 40 V
Rds(on), Ic(on), (4) 0 ---- 20 A 5 ma +/- 1 % 0 ---- 30 V
Vf, If, Vtm, (5) 0 ---- 40 A 10 ma +/- 1 % 0 ---- 20 V
+/-Vo, +/-Ipk, (6) 0 ---- 400 A * 50 ma +/- 2 % 0 ---- 12 V
+/-Isc, Vbo (7) 0 ---- 800 A * 50 ma +/- 2 % 0 ---- 10 V
Ibo (8) 0 ---- 1600 A * 50 ma +/- 2 % 0 ---- 7.5 V
* External Current Deck 外加電流機(jī)箱
(4)觸發(fā)電流檔位 (Trigger CurrentRange)
測(cè)試參數(shù) 電流檔位 解析度 精度 測(cè)量條件
Parameter Current Range Resolution Accuracy Test Condition
hFE, Vgs(th), (1) 0 ---- 100 ua 20 na +/- 1 % 0 ---- 20 V
Vbe(on), Vgs(on) (2) 0 ---- 1 ma 0.2 ua +/- 1 % 0 ---- 20 V
Vge(th), Vge(on), (3) 0 ---- 10 ma 2 ua +/- 1 % 0 ---- 20 V
Igt,Vgt,IL (4) 0 ---- 100 ma 20 ua +/- 1 % 0 ---- 20 V
Ih, Ic(on), Ic(off), (5) 0 ---- 1 A 0.2 ma +/- 1 % 0 ---- 20 V
Igt 1 / 2 / 3 / 4 (6) 0 ---- 15 A 2 ma +/- 1 % 0 ---- 20 V
Vgt 1 /2 /3 / 4
(5)觸發(fā)電壓檔位 (TriggerVoltageRange)
測(cè)試參數(shù) 電壓檔位 解析度 精度
Parameter Voltage Range Resolution Accuracy
Vbe(on), Vbe(sat),
Vge(on), Vgs(on), 0 ----- 20 V 5 mV +/- 1 %
Vgt
(6)時(shí)間開(kāi)關(guān) (Switching Time)
測(cè)試參數(shù) 時(shí)間量測(cè)檔位 解析度 精度
Parameter Timing Range Resolution Accuracy
ton, toff 0 ----- 1095 ( ns) 納秒 5 (ns)納秒 +/- 1 %
連續(xù)可調(diào)
Continuous Adjust
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487 Gianni Street Santa Clara,California95054
PHONE: (408)- 621-0336 FAX: (408)- 988 -1908
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